DRAM 記憶卡

業界所稱的RAM與ROM，都屬於概略說法，若要細分的話，RAM還能分成 DRAM（Dynamic RAM）、SRAM（Static RAM）等區別。而ROM亦是如此，可進一步細分為PROM、Mask ROM及EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）等類型，而後來EEPROM則是EPROM的再改良版，可透過不同的電壓來抹除與寫入資料。在當年Windows 95的問世，其PnP（Plug and Play）機制的帶動下，以致於BIOS偵測硬體與設定修改的即時性日受重視，自然使得不需專用抹除設備、存取效率較佳的EEPROM受到矚目。

現今主流的DDR、DDR2都是屬於DRAM範疇。

至於當前記憶卡（Memory Card）、隨身碟（USB Pen Drive）等裝置所使用的儲存媒介-快閃記憶體（Flash Memory），則是經由EEPROM進化而來。Intel於1980年首度發表Flash Memory，以價格便宜、位元密度等優勢，接手EEPROM的市場位置。事實上，Flash Memory在記憶體領域的界定較為模糊，不僅不用像RAM一般需仰賴電力維繫內部資料，而且同樣兼具可讀寫特性，以電壓高低控制存取動作。不過，快閃記 憶體的資料更新並非以單一Byte或bit為單位，而是採區塊（blocks）方式計算，寫入大小取決於記憶體控制器本身，介於256KB~20MB間不 等。有關於Flash Memory的規格與種類，請參考隨身碟/記憶卡單元的說明。

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